高品质因子晶体光学微腔，在高灵敏度传感器、低阈值非线性频率转换器、电光调制器等方面具有广泛的应用。然而，由于晶体材料稳定的化学性质，无论是湿法还是干法刻蚀技术，均不能快速刻蚀晶体材料，因此，制备小尺寸、高品质因子晶体光学微腔非常困难。传统的加工技术，如切割、抛光等，适用于毫米尺寸光学微腔的制备，且无法实现批量制备。
近期，我院薄方副教授、孔勇发教授、张国权教授、许京军教授等与美国圣路易华盛顿大学杨兰教授、Sahin K. Ozdemir博士合作发展了一种基于激光脉冲沉积技术在二氧化硅反楔形微腔上镀铌酸锂薄膜来制备铌酸锂/二氧化硅复合微腔的微腔制备技术。利用该技术，他们在未使用任何后处理技术的情况下成功实现了品质因子在10^5以上的铌酸锂/二氧化硅复合微腔的批量制备，实验结果表明该类复合微腔具有性能远优于纯二氧化硅微腔的全光和电光调制效应。该技术避免了晶体微腔制备过程中晶体材料的刻蚀问题，它也同样适用于其它晶体材料微腔的制备。该工作于2015年11月16日在线发表于Advanced Materials （http://onlinelibrary.wiley.com/wol1/doi/10.1002/adma.201504722/full）。Advanced Materials是德国Wiley出版社旗下的材料学科顶级期刊，2014年影响因子为17.493。
除铌酸锂/二氧化硅复合微腔之外，薄方副教授、张国权教授、许京军教授等人还成功实现了品质因子优于10^6的铌酸锂单晶盘形微腔的批量制备及其电光调制效应，相关结果发表在Opt. Express上。